VisIC y AVL impulsan avances en inversores con nitruro de galio para coches eléctricos

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  • VisIC y AVL colaboran para desarrollar semiconductores de nitruro de galio (GaN) que mejoran la eficiencia y reducen costes.
  • El GaN permite reducir el tamaño de los inversores y aumentar la densidad de potencia, ideal para vehículos eléctricos.
  • Las pruebas de AVL lograron eficiencias récord de hasta 99,8% en aplicaciones de alta frecuencia.
  • Ambas empresas apuntan a expandir la tecnología para abarcar sistemas de 800V en movilidad eléctrica.

El mundo de la movilidad eléctrica sigue avanzando, y en esta ocasión, VisIC Technologies y AVL han unido fuerzas para desarrollar inversores basados en nitruro de galio (GaN) con el objetivo de revolucionar el sector de los coches eléctricos. Este material, menos común que el silicio pero con mayores prestaciones, promete marcar un antes y un después en la eficiencia y sostenibilidad de los sistemas de propulsión eléctrica.

El enfoque de esta colaboración no solo prioriza mejorar el rendimiento de los vehículos, sino también revolucionar los procesos de manufactura y reducir los costes generales de los sistemas. Esto no solo beneficia a los consumidores finales, sino que impactará significativamente en los fabricantes de vehículos y proveedores de componentes.

¿Por qué el nitruro de galio es una tecnología clave?

inversores de nitruro de galio

El nitruro de galio, conocido como GaN, ofrece propiedades que superan ampliamente a los tradicionales semiconductores de silicio y carburo de silicio. Este material permite una mayor densidad de potencia, mejores eficiencias energéticas y una reducción significativa en el tamaño y peso de los inversores. Estas características son especialmente útiles en coches eléctricos, donde se busca optimizar cada aspecto posible para maximizar la autonomía y el rendimiento.

Según las pruebas llevadas a cabo por AVL, los resultados han sido impresionantes. Utilizando uno de los productos estrella de VisIC, conocido como «GaN-on-Silicon D³GaN», lograron una eficiencia de referencia del 99,67% a frecuencias de 10 kHz, y esta cifra se elevó a un 99,8% a 5 kHz. Estos valores representan un aumento significativo respecto a los inversores basados en carburo de silicio (SiC), y se traduce en pérdidas de energía menores en un 60%.

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Impacto ecológico y sostenibilidad en la producción

Otro aspecto destacado de esta colaboración es el compromiso con reducir el impacto ambiental. Según los datos compartidos por AVL, los semiconductores basados en nitruro de galio requieren significativamente menos energía durante su producción en comparación con las alternativas de carburo de silicio. Además, pueden ser fabricados utilizando las infraestructuras existentes para semiconductores de silicio, algo que facilita su adopción a gran escala sin necesidad de costosas reconfiguraciones.

Declaraciones de los líderes del proyecto

Gregory Bunin, director tecnológico de VisIC, subrayó que esta colaboración representa un paso crucial para llevar la tecnología de inversores GaN a un público más amplio y accesible. Según Bunin, la combinación de alta eficiencia y bajos costes es una fórmula ganadora tanto para los consumidores como para la industria.

Por su parte, el Dr. Thomas Frey, responsable del segmento de sistemas de propulsión eléctrica en AVL, destacó que trabajar con los módulos GaN de VisIC les permite ofrecer soluciones de última generación a sus clientes. Estas soluciones no solo cumplen con los requisitos actuales, sino que también están diseñadas para anticiparse a las necesidades de la próxima generación de coches eléctricos.

Planes futuros: módulos de 800V

Con la vista puesta en el futuro, VisIC y AVL han anunciado que su colaboración continuará con el desarrollo de módulos de potencia de 800 voltios, lo que ampliará aún más las posibilidades de esta tecnología en el ámbito de la electromovilidad. Este enfoque asegura que los inversores basados en GaN puedan seguir evolucionando para adaptarse a las demandas de la industria.

El trabajo conjunto entre VisIC y AVL no solo está marcando un hito en el desarrollo de semiconductores de potencia, sino que está acelerando la transición hacia una movilidad más eficiente y sostenible. Queda claro que el nitruro de galio es una pieza clave en el futuro de los coches eléctricos.

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